道德的边干净的石墨烯薄膜是用于包括透明电极和外延层在内的应用的有前途的材料。

作者首先利用垂直CVD生长方法实现了二维β相In2Se3的大面积生长，道德的边然后在CVD生长过程中，在前驱体中加入InSe获得了大面积的β′-In2Se3薄膜。该研究为耐用催化剂的设计提供了新的思路，道德的边这些催化剂可以承受工业规模氢气生产的恶劣条件。

道德的边论文通讯作者为何纯挺教授。特别是，道德的边这一策略在BiVO4系统上得到了突出体现，该系统用于整体H2O2光合作用，太阳能到H2O2的转化率为0.73%。动力学研究和DFT计算显示，道德的边决定速率的步骤是第一个C-Cl键的断裂，道德的边它与质子无关，这是一个关键的机理特征，使酞菁钴/碳纳米管能够有效地催化DCA脱氯并抑制析氢反应。

道德的边第一作者为青年教师曹黎明博士和硕士生胡长国。转换频率TOF值在100mV时为121s-1，道德的边这使其成为迄今为止最先进的催化剂之一。

最后，道德的边将大面积的β′-In2Se3薄膜转移到柔性基底上，成功实现了大面积的α-In2Se3薄膜。

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